株式会社未来先端技術研究所(代表取締役 福田琢也)は、半導体配線の絶縁材料の開発に関する評価技術を活かして、薄膜の電気的評価を含めた総合的な評価と、福田氏が名づけた“裏読み”という最適な解析を行うことで、材料開発の期間短縮に貢献している。
代表の福田氏は、北海道大学理学部で理学博士号を取得後、日立製作所へ入社。半導体製造プロセスの研究開発に従事後、ASET(超先端電子技術開発機構)の「PFC代替プロセス技術の開発プロジェクト」に参画。評価方法で、名古屋大学から工学博士号を取得。
プロジェクト終了時に、材料メーカーの研究者仲間から評価の継続要望があり起業を決意し、2004年、東京農工大学のインキュベート施設入居とともに起業し、2008年にSICへ移り事業を本格化させている。
常に新しい材料の導入が図られている半導体工業分野など、同社が手がけている評価分析事例を示す。
【LSIの多層配線】
高速化と低電力化のために低誘電率の材料開発が急務である。
多種の材料の全てを評価・解析することが困難な材料・デバイスメーカーへの評価サービス。
【エネルギー関連】
燃料電池・リチウムイオン電池関連の電極材開発、シリコン系以外の太陽電池、スイッチング素子などの有機半導体の有用性判断の初期判定
【その他の貢献事例】
超臨界CO2を用いた乾燥・脱脂・洗浄技術などの先端技術への応用、MEMS分野(超微小構造の電
子機械デバイス)での封じ技術、有機ELのパッシベーション膜の評価、これらを通じて先端的技術分野の開発に深く関わっている。
「材料の電気的評価に関しては、出来ないものはない。強みは、解析の技。複数の手法で観察された数値をどのように解析するかが肝」と福田氏は言う。評価設備が充実した同社まで来訪下さい。
株式会社 未来先端技術研究所
さがみはら産業創造センターSIC-2-406
TEL:042-770-9502
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